間違いだらけのトランジスタ解説 ハイヘッツ.jpg

 

  

  トランジスタ、とくにバイポーラトランジスタ(BJT)についての話です。このBJTについては、多くの間違った解説が成されています。まずこのBJTの原理です。といっても、ほんとうの原理かどうかわかりません。ただ、いまのところこれより有力な理論はなく、多くの「誠実な者たち」はこれを信じています。

 

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            図1 エミッタコモン回路

 

 図1は「エミッタ接地」とか、「エミッタコモン」言われている回路です。これで考えていきましょう。「BJTの理論」はアンドリュー・グローブの本に詳細に解説されています。この人は元、インテル社の会長であり、BJTの生みの親であるショックレイの弟子とも言える人ですね。

 

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                   図2 BJTの優れた歴史的な解説書

 

 この本によれば、ベースーエミッタ間電圧(Vbe)により、NPN型のBJTなら、電子がエミッタからベースに注入される。それが1:βの割合でベースとコレクタに行く、ということです。だからこの電子(NPN型におけるキャリア)を放出する(エミッション)側をエミッタ(本来はエミッター)と言い、それを受け取る側(コレクションする)をコレクタ(本来コレクター)と言いますね。 これを電流で見れば、ベース端子からベースに注入されたIbとコレクタからベースに流れ込んだIcがエミッタに流れ込む、ということになりますね。

 このメカニズムから見ても、Ibが増幅されているわけではない。およそ、増幅と解されるような動作はありませんね。これを「増幅」ということがBJTの本当の理解をいかにさまたげるかです。2つの電流路があり、その電流はVbeにより流される。そ2つの電流比がβである。ここに、「増幅」と言わなければならないものはありません。

 

 BJTの増幅のメカニズムはβに関係ありません。

 

 非常に難しい話から、最終的に得られた結果はおおざっぱには、

 

    Ic=I0*exp(Vbe/Vt)    ---(1)

    Ib=Ic/β

 

    I0:絶対温度Tにも大きく依存する

    Vt:k*T/q

    k:ボルツマン定数

    q:電子の電荷

 

でした。Ic,Ibの原因はVbeです。Vbeの結果としてIc,Ibが流れます。ここが肝心なところです。Ibが増幅されてIcとなるのではないのですね。どちらもVbeによって流れます。どちらもVbeの対等な結果なのですね。IbはIcの原因ではありません。βは増幅率ではなく、単なる比であります。どこかのアホが「増幅率」などと言ってしまったために、これが広がってしまい、もう戻らなくなってしまったのですね。

 

 図1で考えます。

 

  vout=Ic*R1

 

vin=Vbe、Icは(1)式ですから、R1が大きければ非線形ながらvinは増幅されvoutになることがわかります。ここにβが介入していないことが肝心です。βが1以下でもこのことは成り立ちますね。βが小さいとIbが大きくなってしまうだけなのです。βと信号増幅は何の関係もないことがわかります

 

 ここらのことが、さっぱり理解されていません。「劣等感」を「コンプレックス」と言っている日本人は多い。しかし、「コンプレックス」は「複合」みたいな意味であります。こんな間違いを平気で続けている国民です。一度広がればもう二度ともとには戻りません。「瓶から出してしまったみみずは、もう二度ともとには戻せない」ということですね。

 

 

ーーーーーアドバイスーーーーーーーーー 

 

>真空管と対比させ増幅(amplifier)って言葉を使ったのは

>ほかならぬショックレイ自身なんだよ。 日本人はそれを訳しただけ。

> ショックレイはアホだったのだね><。

 

ですがまったく意味不明ですな。